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透明導電膜功函數對矽異質接面太陽能電池之影響

Effect of Transparent Conductive Oxide Work Function on Silicon Heterojunction Solar Cell

作者:周世欽
畢業學校:國立中央大學
出版單位:國立中央大學
核准日期:2013-08-30
類型:Electronic Thesis or Dissertation
權限:Copyright information available at source archive--National Central University....

中文摘要

本實驗分為兩大方向來討論,其一是透明導電膜ITO單層膜的分析,第二是ITO應用於矽異質接面太陽能電池探討。ITO單層膜主要分兩大主軸,優化光電特性以及提高功函數;優化光電特性部分,我們利用改變製程功率以及溫度,得到ITO最佳的電阻率為1.21x10-4 (Ω-cm),在波長400~1100 nm下最佳的平均穿透率為82.97%;也利用不同製程環境得到功函數4.36~5.20 eV的分佈範圍。
電池元件討論部分將ITO分為兩層鍍製,和P層接觸的下層ITO,討論功函數對電池的影響;上層ITO為傳導層,具備良好的光電特性。根據本實驗結果,當功函數越高,電池的開路電壓明顯提高,元件效率也提升。當ITO功函數為4.36 eV,光電轉換效率為3.8%;若將功函數提升為5.20 eV可得最佳轉換效率8.3%。

英文摘要


指導教授 - 陳昇暉


 

計畫贊助者: